Optics-Hub / 旭量光学
UV 直写
支持无掩模 UV/LED 光刻、PCB 图形直写、微纳图形、光刻工艺验证和小批量打样。
选择适合的UV 直写方向
无掩模 UV/LED 光刻
用于无掩模光刻、图形直写和科研打样。
PCB 图形直写
用于 PCB 图形直写、阻焊图形和小批量验证。
微纳图形
用于微纳图形、光刻窗口验证和实验室工艺开发。
光刻工艺验证
用于光刻工艺窗口、材料适配和样品验证。
UV 直写产品与系统
UV SCAN 100 无掩模紫外激光直写系统
面向高校、科研院所和企业研发部门的小批量微纳加工平台，以 405 nm 光源、声光调制、高精度振镜、精密运动与自动对焦为核心，适合光刻胶、玻璃片、晶圆和氛围敏感材料的图形快速迭代。页面参数来自授权画册，项目结果需通过样品验证确认。
查看产品典型应用场景
无掩模光刻
面向科研样品、PCB 图形和微纳图形直写。
工艺窗口验证
围绕材料、曝光剂量和图形精度建立验证路径。
小批量打样
支持快速迭代、样品验证和工艺转移前评估。
系统能力与技术证据
光刻能力
支持无掩模图形、PCB 图形、微纳结构和工艺窗口验证。
实验验证
通过样品、案例和技术资料降低前期选型风险。
资料支持
提供产品资料、应用文章和测试建议，方便后续沟通。
常见问题
如何在无掩模投影与扫描式 UV 直写之间选择？
结论是根据图形类型、曝光区域、对准方式和迭代频率选择路线，并在目标材料上验证。无掩模投影适用条件偏向一次形成面图形和快速更换数字版图，扫描式直写更依赖光斑、轨迹与运动控制；因为两类方案的能量分布、拼接方式、对焦和节拍关系不同，不能只按标称精度比较。验证建议使用代表图形检查边缘、线条连续性、区域一致性、对准和重复性。下一步请提交版图、基底、光刻胶及目标节拍，据此形成曝光与检测计划。
光刻胶、基底和图形条件会怎样影响 UV 直写？
结论是这三类条件共同决定可用曝光窗口，材料未确认前不能直接承诺图形结果。需要核对光刻胶对光源的响应、膜层状态、基底反射与表面质量、图形疏密和后处理流程；因为吸收、聚焦、剂量分布、反射和显影机制会影响边缘、残胶与结构完整性。验证时应使用实际胶层和基底制作曝光矩阵，并在显影后检查关键图形、均匀性和缺陷。下一步建议提供材料牌号、涂胶与显影条件、版图和验收方法，再确认系统与工艺路线。
怎样验证 UV 直写的工艺窗口和实际节拍？
结论是用代表版图完成从对焦、曝光到显影和检测的闭环测试，不能用单次曝光时间代替实际节拍。工艺窗口取决于材料、剂量、焦点、扫描或投影策略、拼接和后处理，因为任何环节变化都可能影响合格区域与重复性。建议设置分级曝光条件，检查关键尺寸、边缘、缺陷、拼接或定位表现，并重复制作样品确认稳定性，同时记录装片与检测时间。下一步应先确定合格判据和产能统计口径，再用同一批材料完成样品验证。
需要匹配具体系统或工艺路线？
告诉我们样品、应用目标和交付要求，旭量光学会协助匹配系统或工艺路线。
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